giovedì 16 giugno 2016

MACOM punta su GaN-on-silicon in applicazioni commerciali

Tra i recenti annunci, un transistor di potenza per estendere l’adozione dell’energia RF in forni a microonde, sistemi di essiccamento e apparecchiature medicali per l’ablazione di tessuti e tumori


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La transizione dalla tecnologia basata su arseniuro di gallio (GaAs – Gallium Arsenide) verso il nitruro di gallio GaN (Galliun Nitride), per soddisfare i requisiti applicativi in molteplici mercati, è uno dei processi che sta caratterizzando l’evoluzione di MACOM: a confermarlo una recente novità di prodotto, su cui la casa di Lowell, Massachusetts, ha posto l’accento in settimana, nel corso di una conferenza stampa a Monaco di Baviera.
Occasione che MACOM – attiva con design center, stabilimenti di produzione e test in Europa, Nord America, Asia e Australia, e fornitrice a livello globale di semiconduttori analogici RF per alta frequenza, microonde, onde millimetriche, e semiconduttori fotonici per numerose applicazioni – ha colto anche per tratteggiare la propria futura strategia.
Dapprima Markus Shaefer, direttore vendite a livello Emea, ha ricordato le numerose acquisizioni operate da MACOM nel campo RF e microonde (Mimix Broadband, Nitronex, IKE Micro, Aeroflex/Metelics), e sottolineato come nel comparto delle stazioni radiobase, proiettate verso frequenze sempre più elevate (con LTE e oltre), la società stia guidando la transizione dalla tecnologia LDMOS (laterally diffused MOSFET) verso GaN. Poi Shaefer ha subito concentrato l’attenzione sulle applicazioni dei semiconduttori GaN nel campo dell’energia RF.
Il prodotto chiave in questo settore, annunciato a maggio, si chiama MAGe-102425-300, ed è basato sulla tecnologia GaN-on-Si (nitruro di gallio su substrato di silicio) di quarta generazione di MACOM. 



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