Tecnologia FD-SOI, nasce il progetto Place2Be

Si chiama FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) e rappresenta un`alternativa a più alte prestazioni ed efficienza rispetto alle convenzionali tecnologie su silicio e FinFET (fin-shaped field effect transistor). Le sue applicazioni sono in dispositivi SoC (system-on-chip) per elettronica di consumo, sistemi di rete e di calcolo ad alte prestazioni. Da oggi le attività di sviluppo della tecnologia FD-SOI saranno supportate da un progetto europeo, Places2Be, sostenuto da 19 società partner e guidato da STMicroelectronics. Si tratta di un piano triennale da 360 milioni di euro per la realizzazione di una linea pilota FD-SOI nel nodo tecnologico a 28 nanometri e in quello successivo. L`obiettivo è anche stimolare le attività di ricerca nei nodi tecnologici futuri, a 14 e 10 nanometri.